4月13日，长江存储在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
据悉，长江存储首 发的128层QLC闪存创下速度、密度、容量三个全球 第 一。长江存储表示，X2-6070是业内首 款128层QLC规格的3D NAND闪存，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片X2-9060，以满足不同应用场景的需求。
据了解，每颗X2-6070 QLC闪存芯片共提供1.33Tb的存储容量。而在I/O读写性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的数据传输速率。
据悉，两款产品均采用长存自研Xtacking 2.0架构，外围电路和存储单元可堆叠，带来极 佳的扩展性。在性能方面，长存透露，两款产品拥有1.6Gbps的I/O读写性能，3D QLC单颗容量高达1.33Tb，是上一代64层的5.33倍。
长江存储表示，公司用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。
另据财联社报道，预计2020年底-2021年中旬陆续量产，目标达到月产能10万片；供应链消息透露，这款闪存已送样。
本文学由合肥真萍电子科技有限公司原创，转载时请注明热风排胶炉网址：http://m.xinyong119.com/ |
